破解碳化硅衬底“水质困局”**
（2026年2月最新工程案例）

一、极限水质需求：第三代半导体的制造命门
在新能源与光电产业爆发式增长的背景下，碳化硅衬底作为大功率器件的核心基础材料，其生产水质需满足近乎严苛的标准：

• ▶ 金属离子：＜1ppt（万亿分之一）

• ▶ TOC含量：≤2ppb（十亿分之一）

• ▶ 颗粒物：＜1个/mL

• ▶ 电阻率：≥18.2MΩ·cm
  此类指标超出常规电子级纯水两个数量级，成为制约国产碳化硅产业良率提升的关键瓶颈。

二、全链路技术破局方案
仟净环保为某头部衬底企业定制的50吨/小时超纯水系统，通过三大核心技术实现突破：

1. 工艺架构创新

   • 采用“双级RO+超纯电去离子（UPW-EDI）+纳米催化除TOC+二级终端抛光”四级净化

   • **脉冲式颗粒冲刷系统，实现管路零颗粒沉积

   
   

2. 材料级防污控制

   • 全系统采用电抛光316L EP级不锈钢管路（Ra≤0.3μm）

   • 密封件使用高纯PFA衬里，金属溶出率降低至0.01ppt级

   
   

3. AI智控运维

   • 搭载水质预测算法，实时调整氧化剂投加量与膜清洗周期

   • 移动端远程监控18项核心参数，故障响应速度提升70%

   
   

三、赋能国产半导体材料突围
项目历时6个月精密施工，于2026年1月完成72小时连续验证运行，水质稳定性达99.98%。该系统可满足8英寸碳化硅衬底量产需求，推动客户产线良率提升15%以上。目前仟净环保已为三安光电、天岳先进等23家半导体企业提供超纯水解决方案，设备稼动率行业领先。

技术咨询专线：0769-26380198（2026年春节假期服务照常）
工程案例库：官网实时更新12大半导体细分领域应用实绩
——以超纯水工艺筑基中国第三代半导体供应链安全——